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晶體振蕩露點儀技術(shù)簡介

日期:2017-12-13 作者: 來源: 瀏覽:

 晶體振蕩露點儀技術(shù)簡介

在很多過程工藝中,客戶更加關(guān)心水分含量ppmV,例如催化重整裝置。晶體振蕩露點儀技術(shù)直接測量氣體中的水分ppmV含量。
石英晶體微平衡技術(shù)(QCM)是基于測量在樣氣中的石英晶體的振蕩頻率。下圖是一個典型的晶體的結(jié)構(gòu):

 

感濕石英晶體
對于標準的晶體而言,其震蕩頻率并不會對水汽產(chǎn)生響應。QCM微水測量技術(shù)在黃金電 表面涂布一種聚合物。聚合物涂層的特性是可以快速吸收水汽或者釋放水汽而干燥。重要的是,作為聚合物涂層吸收水汽的結(jié)果,石英晶體的質(zhì)量會增加,因而晶體的振蕩頻率會發(fā)生變化。
TIM截圖20171213112944.png
相反,當聚合物涂層干燥的時候,晶體的質(zhì)量減少,其振蕩頻率增加。
 
為了測量被吸收水汽,將傳感器(聚合物涂層的晶體)置于恒溫的測量腔室,通過的樣氣流量穩(wěn)定在100毫升/分鐘。測量周期分為兩個階段。起初,干燥后的樣氣經(jīng)過傳感器測量腔室,測量此時石英晶體的振蕩頻率。隨后,未經(jīng)干燥的樣氣通過測量室,再次測量晶體的振蕩頻率。
 
對應干氣和濕氣的頻率之差與樣氣中的水汽含量成比例關(guān)系。每個周期中,通過干氣和濕氣的時間各為30秒,如果改變這個時間關(guān)系,則會影響儀器的校驗。
 
在實際運用中,為了補償外部溫度等因素造成的影響,測量腔室中安置了兩個完 相同的晶體。一個是有聚合物涂層,而另外一個沒有涂層的作為參考晶體。在每個測量周期,無論是干氣還是濕氣,測量晶體和參考晶體的輸出頻率經(jīng)過混合,過濾,除去所有不相關(guān)的頻率,得到了兩者之間的差值(fr- fs)。由于這兩個晶體完 相同,所有外部因素和內(nèi)部干擾對兩者的影響都是完 同等的,這樣,所有可能干擾晶體頻率的因素(溫度、老化等),在fr- fs 值中都被完 去除了。氣體回路包括分子篩干燥筒,濕度發(fā)生器,以及采樣模塊;采樣模塊包含三個用于流量控制的電磁閥,以及安置了測量晶體和參考晶體的測量腔室。測量振蕩器和參考振蕩器位于測量模塊的末端。整個測量腔室恒溫在60°C。下圖是一個測量流路圖示。
露點儀流程圖.png
干氣流經(jīng)V1, 濕氣(樣氣)流經(jīng)V3,濕度發(fā)生器產(chǎn)生5~10ppmV的校驗氣經(jīng)過V2,每個流路的流量穩(wěn)定在100毫升/分鐘。各路氣體輪流進入測量腔室,或者被直接排空。

 



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